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直流高压发生器所运用的PWM和IGBT技术讲堂
浏览次数:8发布日期:2019-06-04
   直流高压发生器所运用的PWM和IGBT技术讲堂
  直流高压发生器主要适用于电力部门•●、工矿•●、冶金•●、钢铁等企业动力部门对氧化锌避雷器•●、电力电缆•●、变压器•●、发电机等高压电气设备进行直流耐压试验。
  现在高压电源和高压发生器已经没有严格的区别,该仪器主要用于研究直流电及换流站设备和绝缘材料在直流高电压下的绝缘强度•●、直流输电线路电晕和离子流及其效应以及进行交•●、直流电力设备的泄漏电流试验。另外还可以作为其他高压试验设备如冲击电压发生器•●、冲击电流发生器•●、振荡回路等的电源。直流高压发生器在其他科技领域里,如物理学(加速器•●、电子显微镜等)•●、电子医疗设备(X射线)•●、工业应用(废气沉淀•●、静电喷漆等)•●、或电子通信(电视•●、广播站)等方面也被广泛应用。
  高频直流高压发生器采用脉冲宽度调制(PWM)技术•●、IGBT•●、以及先进的电子线路及元件,下面来介绍关于它采用的技术:
  ★PWM(脉冲宽度调制)技术
  脉冲宽度调制是一种模拟控制方式,其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。
  PWM控制技术以其控制简单,灵活和动态响应好的优点而成为电力电子技术广泛应用的控制方式,也是人们研究的热点。由于当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限,结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。
  ★IGBT
  即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机•●、变频器•●、开关电源•●、照明电路•●、牵引传动等领域。
  通过以上技术的结合,使直流高压发生器具有输出不受电网波动干扰,有零位•●、过流•●、击穿•●、过压等保护措施,无论过流•●、击穿•●、过压保护电路都能迅速动作,可有效保障设备及人员安全。
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